De hoge Zuivere Inplanting Ion Parts In Semiconductor Industry van Molybdeenproducten

Productomschrijving

Hoog-zuivere Moly-Inplanting Ion Parts In Semiconductor Industry

De Molyinplanting Ion Parts is een ionenstraaltechnologie die de atomen van de elementen in ionen ioniseert, hen bij een voltage van tientallen aan honderden kV versnelt, en dan hen in het werkstukmateriaal inplanteert in de vacuümdoelkamer wordt geplaatst na het verkrijgen van hoge snelheid die. oppervlakte.

Na ionenimplantatie, zullen de fysieke, chemische en mechanische eigenschappen van de materiële oppervlakte beduidend veranderen. De ononderbroken slijtageweerstand van de metaaloppervlakte kan 2 tot 3 grootteordes van de aanvankelijke injectiediepte bereiken.

SPECIFICATIE & CHEMISCHE SAMENSTELLINGEN (NOMINALS)

TOEPASSINGEN van Moly-Inplanting Ion Parts

• De precisievormen in de halfgeleiderindustrie, het stempelen en het stempelen vormen kunnen binnen de industrie kunnen het beroepsleven van deze waardevolle en precisievormen beduidend verbeteren;
• De de koppelingscomponenten van de precisiemotie, zoals stator en rotor van de pomp, de nok en de klem van de luchtextractie van gyroscoop, zuiger, lager, toestel, de staaf van de turbinedraaikolk, enz., kunnen de wrijvingcoëfficiënt zeer verminderen, slijtageweerstand en corrosieweerstand verbeteren, en de levensduur tot verlengen meer dan 100 keer;
• De hete uitdrijving en injectievorm kan energieverbruik ongeveer verminderen door 20% en levensduur verlengen door ongeveer 10 keer;

Moly Ion Implantation Parts Picture:

Voordelen van Moly-de technologie van Inplantingsion parts:

(1) het is een zuivere pollution-free oppervlaktebehandelingstechnologie;

(2) het vergt thermische activering en milieu geen op hoge temperatuur, zodat zal het niet de algemene afmeting en oppervlakteafwerking van het werkstuk veranderen;

(3) de ionenimplantatielaag is een nieuwe die oppervlaktelaag door een reeks fysieke en chemische interactie tussen ionenstraal en substraatoppervlakte wordt gevormd, en er is geen schilprobleem tussen het en substraat;

(4) er zijn geen behoefte om machinaal te bewerken en thermische behandeling na ionenimplantatie.